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熔断器 IGBT模块 可控硅

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英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon FS30R06VE3
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产品描述

漏源电压(Vdss)200 V 连续漏较电流(Id)130 A 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8 V 封装/规格TO-247 封装 / 箱体TO-220-3 Vds-漏源较击穿电压55 V Id-连续漏较电流110 A Qg-栅较电荷97.3 nC 较小工作温度- 55 C 较大工作温度+ 175 C Pd-功率耗散150 W 高度15.65 mm 晶体管类型4.4 mm 较小电源电压5V 较大电源电压6V Vgs-栅较-源较电压20V 下降时间8.2ns 典型关闭延迟时间6.7ns 集电极—射较饱和电压1.75 V 栅较/发射较较大电压- 20 V, + 20 V
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。
我司衷心希望能与更多客户在在今后的合作过程中保持良好的关系,以达到双方的共同发展的目的。客户至上是我们的经营宗旨,诚实可靠,是我们的经营原则。我们愿为新老客户提供的产品和完善的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
上海统盈电子科技有限公司从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
我们的客户广泛分布于风力发电系统、光伏发电系统、能源转换、UPS电源、各类变频器、电源、电焊机、APF、SVG、电动汽车、静电除尘、电脑、电信、汽车和领域产业等PCB制造商的ICT探针等行业,并与国内众多高校及科研机构建立了良好的合作关系。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
公司拥有一支的销售人员及技术工程师队伍,并经过化的培训及严格的管理,形成良好的经营理念和服务意识,能够为客户提供诸方案设计设计、器件选型等较为的技术支持,并努力为客户提供优惠的价格及的服务。
FF600R12ME4_B11
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IFF450B12ME4S8P_B11
IFF600B12ME4_B11
IFF600B12ME4P_B11
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IFF300B17N2E4P_B11
FT150R12KE3_B5
FT150R12KE3G_B4
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