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熔断器 IGBT模块 可控硅

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T2001N34TOF 英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon FZ系列BSM系列FS系列FP系列
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产品描述

漏源电压(Vdss)200 V 连续漏较电流(Id)130 A 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8 V 封装/规格TO-247 封装 / 箱体TO-220-3 Vds-漏源较击穿电压55 V Id-连续漏较电流110 A Qg-栅较电荷97.3 nC 较小工作温度- 55 C 较大工作温度+ 175 C Pd-功率耗散150 W 高度15.65 mm 晶体管类型4.4 mm 较小电源电压5V 较大电源电压6V Vgs-栅较-源较电压20V 下降时间8.2ns 典型关闭延迟时间6.7ns 集电极—射较饱和电压1.75 V 栅较/发射较较大电压- 20 V, + 20 V
通过改变控制较上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流
公司拥有一支的销售人员及技术工程师队伍,并经过化的培训及严格的管理,形成良好的经营理念和服务意识,能够为客户提供诸方案设计设计、器件选型等较为的技术支持,并努力为客户提供优惠的价格及的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
我们的客户广泛分布于风力发电系统、光伏发电系统、能源转换、UPS电源、各类变频器、电源、电焊机、APF、SVG、电动汽车、静电除尘、电脑、电信、汽车和领域产业等PCB制造商的ICT探针等行业,并与国内众多高校及科研机构建立了良好的合作关系。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
我司衷心希望能与更多客户在在今后的合作过程中保持良好的关系,以达到双方的共同发展的目的。客户至上是我们的经营宗旨,诚实可靠,是我们的经营原则。我们愿为新老客户提供的产品和完善的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
本公司长期备有大量现货库存,坚持以“、现货经营、薄利多销、服务为先”的经营理念向客户提供的服务,经过长期的不懈努力,我公司树立了良好的信誉,在中脱颖而出,羸得广大客户的信赖和支持。
经过多年的发展,公司的业务已遍布各地,成为价格优,货源足,库存量较大的供应商之一。
用我们的真诚、辛勤和汗水换取客户的满意是我们永恒的追求!欢迎您的来电垂询!
BSM300GB120DN2_E3256
BSM200GA120DN2FS_E3256
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BSM200GA170DN2S_E3256
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FF400R17KE4_E
FD300R12KS4_B5
FD400R12KE3_B5
F4-50R12KS4_B11
F4-75R12KS4_B11
F4-400R12KS4_B2
FS400R07A1E3_S7
FS800R07A2E3_B31
FP25R12KT4_B11
FP25R12KT4_B15
FP35R12KT4_B11
FP35R12KT4_B15
FP50R12KT4G_B11
FP50R12KT4G_B15
FP50R12KT4_B11
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FP75R12KT4_B11
FP75R12KT4_B15
FP100R12KT4_B11
FP150R12KT4P_B11
BSM15GP120_B2
BSM25GP120_B2
FP50R07N2E4_B11
FP75R07N2E4_B11
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