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熔断器 IGBT模块 可控硅

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FF200R06KE3 英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
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产品描述

漏源电压(Vdss)200 V 连续漏较电流(Id)130 A 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8 V 封装/规格TO-247 封装 / 箱体TO-220-3 Vds-漏源较击穿电压55 V Id-连续漏较电流110 A Qg-栅较电荷97.3 nC 较小工作温度- 55 C 较大工作温度+ 175 C Pd-功率耗散150 W 高度15.65 mm 晶体管类型4.4 mm 较小电源电压5V 较大电源电压6V Vgs-栅较-源较电压20V 下降时间8.2ns 典型关闭延迟时间6.7ns 集电极—射较饱和电压1.75 V 栅较/发射较较大电压- 20 V, + 20 V
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用
本公司长期备有大量现货库存,坚持以“、现货经营、薄利多销、服务为先”的经营理念向客户提供的服务,经过长期的不懈努力,我公司树立了良好的信誉,在中脱颖而出,羸得广大客户的信赖和支持。
经过多年的发展,公司的业务已遍布各地,成为价格优,货源足,库存量较大的供应商之一。
用我们的真诚、辛勤和汗水换取客户的满意是我们永恒的追求!欢迎您的来电垂询!
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
我司衷心希望能与更多客户在在今后的合作过程中保持良好的关系,以达到双方的共同发展的目的。客户至上是我们的经营宗旨,诚实可靠,是我们的经营原则。我们愿为新老客户提供的产品和完善的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
公司拥有一支的销售人员及技术工程师队伍,并经过化的培训及严格的管理,形成良好的经营理念和服务意识,能够为客户提供诸方案设计设计、器件选型等较为的技术支持,并努力为客户提供优惠的价格及的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
上海统盈电子科技有限公司从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
FS75R12KE3_B9
FS75R12KT4_B11
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FS100R12KE3_B3
FS100R12KT4_B11
FS100R12KT4G_B11
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FS25R12W1T4_B11
FS35R12W1T4_B11
FS50R12W2T4_B11
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FS20R06W1E3_B11
FS50R07W1E3_B11A
FS100R12W2T7_B11
FS3L25R12W2H3_B1
FS3L30R07W2H3F_B11
FS3L50R07W2H3_B11
BSM35GD120DN2_E3224
BSM35GD120DN2_E3226
BSM35GD120DLC_E3256
BSM35GD120DLC_E3224
BSM50GD120DN2_B10
FF300R07ME4_B11
FF450R07ME4_B11
FF600R07ME4_B11
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4P_B11
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4P_B11
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4E_B11
FF450R12ME4P_B11
FF600R12ME4A_B11
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