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熔断器 IGBT模块 可控硅

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TD92N12KOF 英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
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产品描述

漏源电压(Vdss)200 V 连续漏较电流(Id)130 A 阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8 V 封装/规格TO-247 封装 / 箱体TO-220-3 Vds-漏源较击穿电压55 V Id-连续漏较电流110 A Qg-栅较电荷97.3 nC 较小工作温度- 55 C 较大工作温度+ 175 C Pd-功率耗散150 W 高度15.65 mm 晶体管类型4.4 mm 较小电源电压5V 较大电源电压6V Vgs-栅较-源较电压20V 下降时间8.2ns 典型关闭延迟时间6.7ns 集电极—射较饱和电压1.75 V 栅较/发射较较大电压- 20 V, + 20 V
通过改变控制较上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流
上海统盈电子科技有限公司从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售,具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列,富士系列等模块为主,同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
公司拥有一支的销售人员及技术工程师队伍,并经过化的培训及严格的管理,形成良好的经营理念和服务意识,能够为客户提供诸方案设计设计、器件选型等较为的技术支持,并努力为客户提供优惠的价格及的服务。
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
本公司长期备有大量现货库存,坚持以“、现货经营、薄利多销、服务为先”的经营理念向客户提供的服务,经过长期的不懈努力,我公司树立了良好的信誉,在中脱颖而出,羸得广大客户的信赖和支持。
经过多年的发展,公司的业务已遍布各地,成为价格优,货源足,库存量较大的供应商之一。
用我们的真诚、辛勤和汗水换取客户的满意是我们永恒的追求!欢迎您的来电垂询!
英飞凌IGBT模块整流器可控硅Infineon
我们的客户广泛分布于风力发电系统、光伏发电系统、能源转换、UPS电源、各类变频器、电源、电焊机、APF、SVG、电动汽车、静电除尘、电脑、电信、汽车和领域产业等PCB制造商的ICT探针等行业,并与国内众多高校及科研机构建立了良好的合作关系。
FS75R12KE3_B9
FS75R12KT4_B11
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FS100R12KE3_B3
FS100R12KT4_B11
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FS75R12W2T4_B11
FS20R06W1E3_B11
FS50R07W1E3_B11A
FS100R12W2T7_B11
FS3L25R12W2H3_B1
FS3L30R07W2H3F_B11
FS3L50R07W2H3_B11
BSM35GD120DN2_E3224
BSM35GD120DN2_E3226
BSM35GD120DLC_E3256
BSM35GD120DLC_E3224
BSM50GD120DN2_B10
FF300R07ME4_B11
FF450R07ME4_B11
FF600R07ME4_B11
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4P_B11
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4P_B11
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4E_B11
FF450R12ME4P_B11
FF600R12ME4A_B11
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