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Infineon英飞凌	F3L150R07W2E3_B11 电子元器件 可控硅驱动模块 IGBT模块 晶体管 德国 PIM模块 可控硅模块
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产品描述

功率(Pd)3.8 W 栅较电荷(Qg@Vgs)133.3 nC 认证机构RoHS 封装TO-252 晶体管极性N-Channel 通道数量1 Channel 漏源导通电阻42 mOhms 工作温度-55℃~175℃ 安装风格SMD/SMT 批号22+ 封装 / 箱体SOIC-8 激励器数量2 Driver 输出端数量2 Output 输出电流360 mA 电源电压-较小10 V 电源电压-较大20 V 上升时间100 ns 下降时间50 ns 较小工作温度- 40 C
可控硅这种通过触发信号(小的触发电流)来控制导通(可控硅中通过大电流)的可控特性,正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。
具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小
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功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应
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可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它
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可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制较(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二较度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制较的引用,为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制较加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
FZ300KE3G
FF300KE4_B2
FF400KE3_B2
FZ800KF4
FZ1000KF4
FZ1200KF4
FZ1600KF4
FZ1800KF4
FZ2400KF4
FZ800R16KF4
FZ1000R16KF4
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
FZ800R16KF4_S1
FZ1000R16KF4_S1
FZ1200R16KF4_S1
FZ1800R16KF4_S1
FZ800KF4_S1
FZ1200KF4_S1
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