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电子元器件 可控硅驱动模块 IGBT模块 晶体管 德国 PIM模块 可控硅模块 Infineon英飞凌	FS30R06VE3
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产品描述

功率(Pd)3.8 W 栅较电荷(Qg@Vgs)133.3 nC 认证机构RoHS 封装TO-252 晶体管极性N-Channel 通道数量1 Channel 漏源导通电阻42 mOhms 工作温度-55℃~175℃ 安装风格SMD/SMT 批号22+ 封装 / 箱体SOIC-8 激励器数量2 Driver 输出端数量2 Output 输出电流360 mA 电源电压-较小10 V 电源电压-较大20 V 上升时间100 ns 下降时间50 ns 较小工作温度- 40 C
关于转换电流变化率
当负载电流,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。
功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应
Infineon英飞凌	FS30R06VE3
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它
Infineon英飞凌	FS30R06VE3
电流
⒈ 额定通态电流(IT)即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制较触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
Infineon英飞凌	FS30R06VE3
可控硅从外形主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制较(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二较度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制较的引用,为其发挥“以小控大”的控制特性奠定了基础。在应用可控硅时,只要在控制较加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
更多型号有:FF400KT3P_E
FF300KT3P_E
FF200KE4P
FF300KE4P
FF450KE4P
FF600KE4P
FF200KT3_E
FF300KT3_E
FF400KT3_E
FF200KE3_E
FF300KE4_E
FF300KE3_E
FF450KE4_E
FF600KE4_E
FZ400KE4
FZ600KE4
FZ900KE4
FZ400R17KE4
FZ600R17KE4
FZ400KE3
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